摻雜氣體（DopantGases）：在半導(dǎo)體器件和集成電路的制造中，將一些或某些雜質(zhì)摻雜到半導(dǎo)體材料中，以使該材料具有所需的導(dǎo)電類型和一定的電阻率，用于制造PN結(jié)，電阻，埋層摻雜過(guò)程中使用的氣體摻雜源稱為摻雜氣體。主要包括a，膦，三氟化磷，五氟化磷，三氟化砷，五氟化砷，三氯化硼和乙硼烷。通常，摻雜源和載氣（例如氬氣和氮?dú)猓┰谠礄C(jī)柜中混合。混合后，氣流連續(xù)流入晶片周圍的擴(kuò)散爐，化合物摻雜物沉積在晶片表面，然后與硅反應(yīng)生成摻雜劑。金屬遷移到硅中。